半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專(zhuān)有的CCPAK。兩者均實(shí)現(xiàn)了更出色的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)和控制，應(yīng)用設(shè)計(jì)大為簡(jiǎn)化；使用標(biāo)準(zhǔn)的硅MOSFET 驅(qū)動(dòng)器也可以很容易地驅(qū)動(dòng)它們。
新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過(guò)孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247 封裝的新器件，導(dǎo)通電阻RDS(on)降低到僅 41mΩ（最大值，25℃的典型值為 35mΩ），同時(shí)具有高的柵級(jí)閥值電壓和低反向?qū)妷�。CCPAK封裝的新器件，將導(dǎo)通電阻值進(jìn)一步降低到39mΩ（最大值，25℃的典型值為 33mΩ）。兩種封裝的新器件均符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，可滿足汽車(chē)應(yīng)用的要求。
Nexperia氮化鎵戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān) Dilder Chowdhury表示：“客戶需要導(dǎo)通電阻RDS(on)為30~40mΩ的650V新器件，以便實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)高效的高功率轉(zhuǎn)換。相關(guān)的應(yīng)用包括電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器和發(fā)動(dòng)機(jī)牽引逆變器; 以及1.5~5kW鈦金級(jí)的工業(yè)電源，比如:機(jī)架裝配的電信設(shè)備、5G設(shè)備和數(shù)據(jù)中心相關(guān)設(shè)備。Nexperia持續(xù)投資氮化鎵開(kāi)發(fā)，并采用新技術(shù)擴(kuò)充產(chǎn)品組合。首先為功率模塊制造商提供了傳統(tǒng)的 TO-247封裝器件和裸芯片，并隨后提供我們高性能的CCPAK 貼片封裝的器件�！�
Nexperia 的 CCPAK貼片封裝采用了創(chuàng)新的銅夾片封裝技術(shù)來(lái)代替內(nèi)部的封裝引線。這樣可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和熱性能，并提高可靠性。CCPAK封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置，使其更通用，并有助于進(jìn)一步改善散熱。
650V TO-247封裝的GAN041-650WSB 和 CCPAK 封裝的 GAN039-650NBB目前均可提供樣品。
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