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GeneSiC宣布推出業(yè)界領先的3300V和1700V分立SiC MOSFET，這些MOSFET經(jīng)過優(yōu)化可實現(xiàn)無與倫比的小型化, 工業(yè)家政電源的可靠性和節(jié)能.

GeneSiC半導體, 碳化硅綜合產(chǎn)品的先驅和全球供應商 (碳化硅) 功率半導體, 今天宣布推出下一代3300V和1700V1000mΩSiC MOSFET – G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, 和G2R1000MT33J. 這些SiC MOSFET可實現(xiàn)卓越的性能水平, 基于旗艦功績指標 (FoM) 增強和簡化跨儲能系統(tǒng)的電力系統(tǒng), 再生能源, 工業(yè)馬達, 通用逆變器和工業(yè)照明. 發(fā)布的產(chǎn)品有:

G2R1000MT33J – 3300V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D – 1700V1000mΩTO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J – 1700V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D – 1700V450mΩTO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J – 1700V450mΩTO-263-7 SiC MOSFET

GeneSiC的新型3300V和1700V SiC MOSFET, 提供1000mΩ和450mΩ選項的SMD和通孔分立封裝, 針對要求提高效率水平和超快開關速度的電源系統(tǒng)設計進行了高度優(yōu)化. 與競爭產(chǎn)品相比，這些設備具有更好的性能水平. 有保證的質(zhì)量, 快速周轉的大批量制造的支持進一步增強了其價值主張.

“在1500V太陽能逆變器等應用中, 輔助電源中的MOSFET可能必須承受2500V的電壓, 取決于輸入電壓, 變壓器匝數(shù)比與輸出電壓. 高擊穿電壓MOSFET消除了反激式中串聯(lián)開關的需求, 升壓和正激轉換器，從而減少了零件數(shù)量并降低了電路復雜度. GeneSiC的3300V和1700V分立SiC MOSFET允許設計人員使用更簡單的基于單開關的拓撲，同時為客戶提供可靠的, 緊湊而經(jīng)濟的系統(tǒng)” 蘇米特·賈達夫（Sumit Jadav）說, GeneSiC Semiconductor高級應用經(jīng)理.

特征 –

優(yōu)越的性價比指數(shù)

旗艦QG 設DS(上) 品質(zhì)因數(shù)

低固有電容和低柵極電荷

在所有溫度下?lián)p耗低

高雪崩和短路強度

基準閾值電壓，可在高達175°C的常態(tài)下穩(wěn)定運行

應用領域 –

可再生能源 (太陽能逆變器) 和儲能

工業(yè)馬達 (和債券)

通用變頻器

工業(yè)照明

壓電驅動器

離子束發(fā)生器

所有設備均可通過授權GeneSiC代理商購買