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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SQJQ100E-T1_GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：SQJQ100E-T1_GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：200A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：1.5 毫歐 @ 20A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：165nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：14780pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：150W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? 8 x 8

SQJQ100E-T1_GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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