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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：TC58NYG0S3HBAI6

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：EEPROM SLC 1GB NAND 24NM 67VFBGA

產(chǎn)品應(yīng)用分類：存儲器

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技術(shù)參數(shù)詳解：

東芝半導(dǎo)體公司完整型號: TC58NYG0S3HBAI6

制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage

功能總體簡述: EEPROM SLC 1GB NAND 24NM 67VFBGA

系列: -

格式 - 存儲器: EEPROMs - 串行

存儲器類型: EEPROM - NAND

存儲容量: 1G（128M x 8）

速度: 25ns

接口: 并聯(lián)

電壓 - 電源: 1.7 V ~ 1.95 V

工作溫度: -40°C ~ 85°C

封裝/外殼: 67-VFBGA

供應(yīng)商器件封裝: 67-VFBGA（6.5x8）

TC58NYG0S3HBAI6均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Toshiba

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