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圖片信息
STGB35N35LZ-1圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:STGB35N35LZ-1
  • 原始制造廠商:ST,意法半導體
  • 技術標準參數:IGBT 345V 40A 176W I2PAK
  • 產品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載STGB35N35LZ-1的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:STGB35N35LZ-1
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT 345V 40A 176W I2PAK
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:PowerMESH?
  • 零件狀態(tài):停產
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):345V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):40A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):80A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.7V @ 4.5V,15A
  • 功率-最大值:176W
  • 開關能量:-
  • 輸入類型:邏輯
  • 柵極電荷:49nC
  • 25°C時Td(開/關)值:1.1μs/26.5μs
  • 測試條件:300V,15A,5V
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
  • STGB35N35LZ-1均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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