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圖片信息
RW1A013ZPT2R圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:RW1A013ZPT2R
  • 原始制造廠商:ROHM,羅姆
  • 技術標準參數(shù):MOSFET P-CH 12V 1.5A 6WEMT
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載RW1A013ZPT2R的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:RW1A013ZPT2R
  • 制造商:Rohm Semiconductor
  • 描述:MOSFET P-CH 12V 1.5A 6WEMT
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):不適用於新設計
  • FET類型:P 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):12V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):1.5A(Ta)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.5V,4.5V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):260 毫歐 @ 1.3A,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):2.4nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):290pF @ 6V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):400mW(Ta)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:6-WEMT
  • RW1A013ZPT2R均從ROHM代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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