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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：APT85GR120JD60

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

產(chǎn)品應(yīng)用分類：IGBT模塊

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技術(shù)參數(shù)詳解：

Microsemi美高森美完整型號：APT85GR120JD60

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

系列：-

IGBT 類型：NPT

配置：單一

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：116A

功率 - 最大值：543W

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：3.2V @ 15V，85A

電流 - 集電極截止（最大值）：1.1mA

不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：8.4nF @ 25V

輸入：標(biāo)準(zhǔn)

NTC 熱敏電阻：無

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC

供應(yīng)商器件封裝：SOT-227

APT85GR120JD60均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Microsemi

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