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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：APT70GR65B2SCD30

原始制造廠商：Microsemi，美高森美

技術(shù)標準參數(shù)：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：APT70GR65B2SCD30

制造商：Microsemi Corporation

描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：NPT

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：134A

電流-集電極脈沖(Icm)：260A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，70A

功率-最大值：595W

開關(guān)能量：-

輸入類型：-

柵極電荷：305nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：19ns/170ns

測試條件：433V，70A，4.3 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

APT70GR65B2SCD30均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

質(zhì)量是南皇電子從眾多競爭對手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

Microsemi

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