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圖片信息
LN60A01EP-LF圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:LN60A01EP-LF
  • 原始制造廠商:MPS(美國芯源系統(tǒng))
  • 技術標準參數:MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
  • 產品應用分類:FET - 陣列
  • 點擊此處下載LN60A01EP-LF的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • MPS美國芯源半導體完整型號: LN60A01EP-LF
  • 制造廠家名稱: Monolithic Power Systems Inc.
  • 功能總體簡述: MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
  • 系列: -
  • FET 類型: 3 N 溝道,共柵
  • FET 功能: 標準
  • 漏源極電壓(Vdss): 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 80mA
  • 不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 190 歐姆 @ 10mA,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): -
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): -
  • 功率 - 最大值: 1.3W
  • 安裝類型: 通孔
  • 封裝/外殼: 8-DIP(0.300",7.62mm)
  • 供應商器件封裝: 8-PDIP
  • LN60A01EP-LF均從MPS代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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