深圳市南皇電子有限公司長期提供IRF5810TR（品牌: IR）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：IRF5810TR

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

產(chǎn)品應(yīng)用分類：場效應(yīng)管陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：IRF5810TR

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

系列：HEXFET

FET 類型：2 個 P 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：2.9A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 2.9A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：9.6nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：650pF @ 16V

功率 - 最大值：960mW

安裝類型：表面貼裝

產(chǎn)品封裝：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：6-TSOP

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