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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：NGB18N40CLBT4G

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 430V 18A 115W D2PAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：NGB18N40CLBT4G

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 430V 18A 115W D2PAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：430V

電流-集電極(Ic)（最大值）：18A

電流-集電極脈沖(Icm)：50A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 4V，15A

功率-最大值：115W

開關(guān)能量：-

輸入類型：邏輯

柵極電荷：-

25°C時Td（開/關(guān)）值：-

測試條件：-

反向恢復(fù)時間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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